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IPB180N04S4-H0原装_ipb180n04s4-h0【太航半导体】

2021/9/23 10:31:40   来源:互联网

品牌:英飞凌 | Infineon

批号:2020+

封装:SOT-263-7L

数量:30127

QQ:1423469806

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-7

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:40 V

Id-连续漏极电流:180 A

Rds On-漏源导通电阻:900 uOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Qg-栅极电荷:225 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:250 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

高度:4.4 mm

长度:10 mm

系列:OptiMOS-T2

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:9.25 mm

下降时间:49 ns

上升时间:24 ns

典型关闭延迟时间:50 ns

典型接通延迟时间:44 ns

零件号别名:IPB180N04S4H0ATMA1 SP000711248 IPB18N4S4HXT IPB180

单位重量:1.600 g

可售卖地:全国

型号:IPB180N04S4-H0


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责任编辑:luu

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